28aAU-9 半導体量子ドットを利用した微小機械振動子の振動検出2(28aAU 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2014-03-05

著者

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 岡崎 雄馬

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野満 恒二

  NTT物性基礎研

• Mahboob I.

  NTT物性科学基礎研究所

関連論文

• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 第14回分子線エピタキシー国際会議報告
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-2 ピエゾ抵抗における超伝導近接効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 25aXD-12 InAs/GaAs/InAs(111)A成長結晶における貫通転位/積層欠陥の劈開端面STM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 機械的振動をナノスケールまで微細化すると何が起こる? ナノメカニカル素子の物理と応用
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 29aYH-6 人工原子における高スピン状態の近藤効果
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 量子ドットの近藤効果(近藤効果はめぐる : 近藤効果40周年)
• 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
• 27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
• 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWD-7 InAs表面における二次元電子状態密度定在波の低温STM観察
• GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
• 27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
• 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
• 26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTR-8 量子ポイントコンタクト電流における電荷ノイズのウェハ構造依存性(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• PS-069-2 腹腔鏡下補助下噴門側胃切除後の間置空腸嚢再建と機能評価(PS-069 胃 鏡視下-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
• 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCE-4 半導体量子ドットの近藤領域における電流雑音特性(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aBJ-11 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-11 3端子三重量子ドットの少数電子領域における伝導測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-6 量子ドットのコトンネリング領域におけるショット雑音測定(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aFB-3 3端子3重量子ドットにおけるスピンブロッケードの協力的解除(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXQ-7 半導体量子ドットを利用した微小機械振動子の振動検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• マイクロ・ナノメカニカル共振器とその応用技術
• 7pSA-5 縦横複合型2重量子の電気伝導特性(量子ドット,領域4)
• 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 27aDD-7 3端子三重量子ドットにおける非平衡量子セルオートマトン効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 7pSA-9 人工分子のドット間オフセットと結合反結合電子状態(量子ドット,領域4)
• 25aDD-7 量子ポイントコンタクトを用いた機械振動検出(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXP-4 量子化された伝導電子の局所状態密度の低温STM観察(25pXP領域,領域7合同シンポジウム 主題:極微細構造の電子輸送-メゾからナノへ-,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 28aAU-9 半導体量子ドットを利用した微小機械振動子の振動検出2(28aAU 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク