26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-03-05
著者
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
永瀬 雅夫
徳島大工
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