薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2003-06-10

著者

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 越川 孝範

  大阪電通大

関連論文

• 22pGV-7 SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
• 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
• 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
• 22pPSB-13 BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 第15回イオンと表面との非弾性衝突に関する国際ワークショップ報告
• 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
• 4a-L-2 50-200keV H^+ビームにたいするエネルギストラグリング
• 25pPSA-14 第一原理計算によるPt薄膜の磁性(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• LEEMによる鋼における動的挙動の観察
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14pXG-2 SPring-8 光電子顕微鏡を用いた In, Co/Si(111) の観察(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 9)
• 12aXF-4 Cu/W(110) の量子サイズ効果と PEEM 像のコントラスト(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 28aWP-11 球面収差除去した高分解能光電子顕微鏡の開発(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
• 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
• LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
• 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
• 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
• 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
• Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
• ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aPS-60 第一原理計算による二次元系Pdの磁性発現に関する研究(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算法I
• 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 28pPSB-43 SiO_2/Si(100) 界面での酸素原子反応過程の理論的検討
• 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
• イオン散乱分光法
• オ-ジェ電子分光法による定量分析 (表面分析特集)
• 表面研究における二次電子放出現象
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
• 新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術 (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
• 19aYN-7 Si酸化における原子輸送の物理(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
• 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
• 極薄シリコン酸化膜形成の理論
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
• SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
• Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pPSA-30 Pd超薄膜の磁性の層数依存性(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-25 第一原理計算によるPd超薄膜の電子構造及び磁気特性の検討(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 9aSN-9 SiO2/Si(100)界面近傍における原子状酸素の安定性(表面・界面ダイナミクス,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク