24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1991-03-11

著者

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 永山 進

  (財)材料科学技術振興財団

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 永山 進

  材料科学財団

• 工藤 正博

  材料科学財団

• Park C.

  全北大

関連論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 表面分析講座-14-2次イオン質量分析法(SIMS)
• 投影型二次イオン質量分析装置を用いた微小領域測定における制限視野法の効果(表面・界面・薄膜と分析化学)
• 二次イオン質量分析法による窒化アルミニウム焼結体の酸素二次イオン像の観察(表面・界面・薄膜と分析化学)
• 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
• 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
• 2次イオン質量分析法によるセラミックス材料の局所観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
• パルスイオンビ-ムを用いた計測・評価法--飛行時間型SIMSへの応用 (材料性能評価のためのパルス計測技術(技術ノ-ト))
• 27pYG-5 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-13 BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 第15回イオンと表面との非弾性衝突に関する国際ワークショップ報告
• 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
• 4a-L-2 50-200keV H^+ビームにたいするエネルギストラグリング
• 中エネルギーイオン散乱による表面分析
• LEEMによる鋼における動的挙動の観察
• 30aRD-8 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
• 15pXG-2 極薄 Ni と 6H-SiC(0001) の界面反応過程(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30aRD-13 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発II(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23PXB-1 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発I(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 17pWD-2 中エネルギーイオン散乱・光電子分光によるSi(001)-2xl表面初期酸化過程の研究
• 25pRD-11 高励起^Kおよび^Rbリドベルグ原子のシュタルク特性(25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aWS-4 TiO_2(110)及びAu/TiO_2(110)におけるCO酸化の反応パス(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRH-12 中エネルギー・ネオン入射による高感度水素検出(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRF-4 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置(23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14pXG-2 SPring-8 光電子顕微鏡を用いた In, Co/Si(111) の観察(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 9)
• 12aXF-4 Cu/W(110) の量子サイズ効果と PEEM 像のコントラスト(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 28aWP-11 球面収差除去した高分解能光電子顕微鏡の開発(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
• 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
• LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
• 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
• 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
• 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
• 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
• イオン散乱分光法
• オ-ジェ電子分光法による定量分析 (表面分析特集)
• 表面研究における二次電子放出現象
• 12p-DJ-12 Na/Si(111)の吸着構造と2次イオン放出
• 25p-Y-12 Na/Si(111)の成長にともなう仕事関数変化
• イオン散乱法を用いた表面界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
• イオンを用いたマイクロアナリシス (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望)
• イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化--イオン照射誘起偏析・拡散
• 27aXE-8 水素終端Si(111)上のCu島の構造解析
• 23aW-8 LEEMを用いたSi(111)上でのCuアイランドの形成過程
• オージェ電子分光法による定量分析
• 第5回低エネルギー電子顕微鏡/光電子顕微鏡国際会議報告
• 共同研究成果報告 LEEM,SPE-LEEM等を用いた超薄膜成長の動的観察
• イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化 : イオン照射誘起偏析・拡散
• 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
• 30a-H-9 高温で成長させたCu/Si(111)のSTMによる観察
• 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
• 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
• 6p-H-6 スタティックイオン衝撃によるアルカリ/Siにおける2次イオン中性化過程
• 3p-J-6 アルカリ/Siからの2次イオン放出過程
• 二次イオン質量分析技術 -浅い接合測定技術-
• 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
• 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
• 31p-PSB-53 Cu/Si(111)成長におよぼす水素の影響
• 25p-Y-10 高温におけるCu/Si(111)の成長過程 : MEIS, RHEED, AES
• 29p-PS-9 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)の成長初期過程の研究
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-64 W(110)基板上におけるCo/Niマルチレイヤーにおける磁気異方性の理論的研究(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26pPSA-27 W(110)上におけるCo/Ni多重層の構造と磁気特性の関係に関する理論的研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 水素終端Si(111)表面上でのCu薄膜の成長
• 8aSP-3 LEEM、LEEDによるSi(113)上のGe成長過程の観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
• 28aPS-8 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
• 27pPSA-35 Ca/Ni多重層の積層過程における磁気特性の変化に関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-54 CdNi多重層の磁気特性の構造依存性に関する理論的研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク