2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1988-03-31

著者

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 平井 正明

  岡山大理

• 日下 征彦

  岡山大理

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 中村 初夫

  大阪電通大

• 松波 弘之

  京大工

• 芝原 健太郎

  京大工

• 中村 初夫

  大阪電通大工

関連論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• Cu/3C-SiC接合系の界面評価
• 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
• 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
• 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
• 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
• 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
• 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
• 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
• 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
• シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
• 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
• Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
• 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
• 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
• 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
• Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
• 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
• 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
• 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
• 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
• 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
• 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
• 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
• 22pPSB-13 BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
• 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• 第15回イオンと表面との非弾性衝突に関する国際ワークショップ報告
• 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
• 4a-L-2 50-200keV H^+ビームにたいするエネルギストラグリング
• LEEMによる鋼における動的挙動の観察
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
• 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
• 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
• 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14pXG-2 SPring-8 光電子顕微鏡を用いた In, Co/Si(111) の観察(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 9)
• 12aXF-4 Cu/W(110) の量子サイズ効果と PEEM 像のコントラスト(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 28aWP-11 球面収差除去した高分解能光電子顕微鏡の開発(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
• 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
• LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
• 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
• 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
• 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
• 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
• 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
• イオン散乱分光法
• オ-ジェ電子分光法による定量分析 (表面分析特集)
• 表面研究における二次電子放出現象
• 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
• 12p-DJ-12 Na/Si(111)の吸着構造と2次イオン放出
• 25p-Y-12 Na/Si(111)の成長にともなう仕事関数変化
• 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
• 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
• イオン散乱法を用いた表面界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
• イオンを用いたマイクロアナリシス (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望)
• イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化--イオン照射誘起偏析・拡散
• 27aXE-8 水素終端Si(111)上のCu島の構造解析
• 23aW-8 LEEMを用いたSi(111)上でのCuアイランドの形成過程
• オージェ電子分光法による定量分析
• 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
• 第5回低エネルギー電子顕微鏡/光電子顕微鏡国際会議報告
• イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化 : イオン照射誘起偏析・拡散
• 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
• 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
• 26pEC-3 CeT_2Al_(T=Fe,Os)の光電子分光(26pEC Cel-2-10系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
• 6p-H-6 スタティックイオン衝撃によるアルカリ/Siにおける2次イオン中性化過程
• 3p-J-6 アルカリ/Siからの2次イオン放出過程
• 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
• 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
• 31p-PSB-53 Cu/Si(111)成長におよぼす水素の影響
• 25p-Y-10 高温におけるCu/Si(111)の成長過程 : MEIS, RHEED, AES
• 29p-PS-9 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)の成長初期過程の研究
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-64 W(110)基板上におけるCo/Niマルチレイヤーにおける磁気異方性の理論的研究(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26pPSA-27 W(110)上におけるCo/Ni多重層の構造と磁気特性の関係に関する理論的研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 水素終端Si(111)表面上でのCu薄膜の成長
• 8aSP-3 LEEM、LEEDによるSi(113)上のGe成長過程の観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
• 28aPS-8 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
• 27pPSA-35 Ca/Ni多重層の積層過程における磁気特性の変化に関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)
• 28pPSA-54 CdNi多重層の磁気特性の構造依存性に関する理論的研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク