平井 正明 | 岡山大理
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概要
関連著者
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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岩見 基弘
岡山大理
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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中村 初夫
大阪電通大
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中村 初夫
大阪電通大工
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岩見 基弘
岡大物理
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山内 庄一
日本電装基礎研究所
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渡部 宏邦
松下電器産業(株)
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横田 康広
岡山理科大学・自然研
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横田 康広
岡山理科大
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渡辺 宏邦
松下電器
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横田 康広
岡山理大理
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横田 康広
岡山理大・理
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山内 庄一
岡山大理
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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栃原 浩
東大物性研
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松波 弘之
京大工
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芝原 健太郎
京大工
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吉田 力矢
岡山大院自然
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中村 祥明
岡山大院自然
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岡崎 宏之
岡山大院自然
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高畠 敏郎
広大院先端物質
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高畠 敏郎
広島大院先端物質
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室 裕司
広大先端物質
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越川 孝範
大阪電通大
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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横谷 尚睦
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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木下 明将
岡山大理
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王 金良
岡山大理
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川本 聡
岡山大学理学部
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笠谷 恵
岡山大理
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山内 庄一
日本電装
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山内 庄一
日本電装(株)基礎研究所
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笠谷 めぐみ
岡山大理
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大島 久純
日本電装(株)基礎研究所
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服部 正
日本電装(株)基礎研究所
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小橋 寿夫
岡山大理
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構田 康広
岡山理大分析センター
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渡部 宏邦
(株)松下電器産業
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小林 司
日電アネルバ
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秋山 直人
電通大
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秋山 昭次
(株)クラレ
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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村岡 祐治
岡山大理
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横谷 尚睦
岡山大理
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栃原 浩
北大触媒研
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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高畑 敏郎
広大院先端物質
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大島 久純
日本電装基礎研究所
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木下 明将
産総研
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横谷 睦尚
岡大院自然
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橋尾 克司
岡山大理
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川本 聡
岡山大理
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服部 正
日本電装株式会社 基礎研究所
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中村 初夫
阪電通大工
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石賀 敏彦
岡大理
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石賀 敏彦
岡山大理
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吉田 力也
岡山大院自然
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室 裕司
広島大院先端物質
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服部 正
日本電装(株)
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渡部 宏邦
松下電器産業 (株)
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吉田 力矢
東大物性研
著作論文
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 26pEC-3 CeT_2Al_(T=Fe,Os)の光電子分光(26pEC Cel-2-10系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
- 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)