山内 庄一 | 日本電装基礎研究所

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概要

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関連著者

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 山内 庄一

  日本電装基礎研究所

• 平井 正明

  岡山大学自然科学研究科

• 日下 征彦

  岡山大学自然科学研究科

• 山内 庄一

  岡山大理

• 平井 正明

  岡山大理

• 日下 征彦

  岡山大理

• 中村 初夫

  大阪電通大

• 中村 初夫

  大阪電通大工

• 渡部 宏邦

  松下電器産業(株)

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 大山 忠司

  阪大教養

• 山本 夕可

  阪大理

• 山本 夕可

  阪大教養

• 大塚 穎三

  阪大教養

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

• 渡辺 宏邦

  松下電器

• 横田 康広

  岡山理大理

• 横田 康広

  岡山理大・理

• 服部 正

  日本電装(株)基礎研究所

• 渡部 宏邦

  (株)松下電器産業

• 横田 康広

  岡山理科大学・自然研

• 横田 康広

  岡山理科大

• 大島 久純

  日本電装基礎研究所

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部界面科学研究室

• 笠谷 恵

  岡山大理

• 山内 庄一

  日本電装

• 山内 庄一

  日本電装(株)基礎研究所

• 笠谷 めぐみ

  岡山大理

• 大島 久純

  日本電装(株)基礎研究所

• 山内 庄一

  岡山大 理

• 平井 正明

  岡山大 理

• 日下 征彦

  岡山大 理

• 岩見 基弘

  岡山大 理

• 秋山 昭次

  (株)クラレ

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部

• 服部 正

  日本電装基礎研究所

• 服部 正

  日本電装株式会社 基礎研究所

• 服部 正

  日本電装 基礎研

• 服部 正

  日本電装(株)

• 渡部 宏邦

  松下電器産業 (株)

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著作論文

• 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
• 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
• 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
• 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
• 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
• 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
• 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
• 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
• 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル

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