岩見 基弘 | 岡大物理
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概要
関連著者
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
-
木下 明将
産総研
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日下 征彦
岡山大学理学部界面科学研究室
-
岩見 基弘
岡山大学 理
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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岩見 基弘
岡山大学理学部
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
平井 正明
岡山大学理学部界面科学研究室
-
森居 隆史
岡山大学自然科学研究科
-
平井 正明
岡山大学 理
-
日下 征彦
岡山大学 理
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
大島 武
原研
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山内 庄一
日本電装基礎研究所
-
田中 礼三郎
岡大物理
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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日下 征彦
岡山大学理学部
-
平井 正明
岡山大学理学部
-
伊藤 久義
原研高崎研
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大自然
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木下 明将
岡山大学理学部
-
岩見 基弘
岡山大・理
-
藤井 達也
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
-
直本 保
岡山大学 理
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木下 明将
岡山大学 理
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川本 聡
岡山大学理学部
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中村 初夫
大阪電通大
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服部 正
日本電装(株)基礎研究所
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伊藤 久義
原子力機構
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大井 暁彦
産総研
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大島 武
原研高崎
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大嶋 武
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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小坂 圭二
岡山大・自然科学
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大島 久純
日本電装基礎研究所
-
中野 逸夫
岡大物理
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中村 初夫
大阪電通大工
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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平井 正明
岡山大自然
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安 振連
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
松下技研
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角南 英伸
岡山大自然
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日下 征彦
岡山大自然
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小坂 圭二
岡山大・VBL
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日下 征彦
岡山大・理
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平井 正明
岡山大・理
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平井 正明
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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日下 征彦
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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岩見 基弘
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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中村 初夫
大阪電気通信大学・工学部
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塚本 健之
岡山大学 理
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斎藤 多恵子
岡山大学 理
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中田 俊武
(株)イオン工学研究所
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木下 明将
岡山大理
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王 金良
岡山大理
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斉藤 浩樹
岡山大学理学部
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笠谷 恵
岡山大理
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山内 庄一
日本電装
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渡部 宏邦
松下電器産業(株)
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山内 庄一
日本電装(株)基礎研究所
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笠谷 めぐみ
岡山大理
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大島 久純
日本電装(株)基礎研究所
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川本 聡
岡山大学 理
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岩見 基弘
岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設
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城戸 義明
立命館大理工
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
-
池上 陽一
高エ研
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中野 逸夫
岡山大学
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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橘堂 恭昌
立命館大理工
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服部 正
日本電装基礎研究所
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城戸 義明
立命館大 理工
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横山 拓郎
岡大物理
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
-
池上 陽一
高工研
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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中野 逸夫
岡山大学大学院 自然科学研究科
-
田中 礼三郎
岡山大学大学院 自然科学研究科
-
小林 健一
岡山大学
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大井 暁彦
日本原子力研究所
-
福島 靖孝
高エ研
-
神谷 富裕
日本原子力研究所
-
服部 正
日本電装株式会社 基礎研究所
-
渡辺 宏邦
松下電器
-
服部 正
日本電装 基礎研
-
服部 正
日本電装(株)
-
中野 逸夫
岡山大自然
-
渡部 宏邦
松下電器産業 (株)
-
岩見 基弘
岡山大学・理学部
-
中村 初夫
大阪電気通信大学
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城戸 義明
立命館大学理工学部
-
星野 靖
立命館大理工
著作論文
- Cu/3C-SiC接合系の界面評価
- 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
- 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
- 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)