25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 中野 逸夫

  岡山大自然科学

• 岩見 基弘

  岡山大自然

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 大井 暁彦

  産総研

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 大島 武

  原研

• 田中 礼三郎

  岡大物理

• 乗松 健治

  岡山大自然

• 田中 礼三郎

  岡山大自然

• 大井 暁彦

  岡山大自然

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 中野 逸夫

  岡山大自然

関連論文

• 25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aBQ-4 二重ベータ崩壊測定器DCBA-T3の無冷媒超伝導ソレノイド電磁石の開発(3)(21aBQ 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),実験核物理領域)
• 26pZE-4 原子を利用したニュートリノ対生成の基礎研究III : 赤外・マイクロ波分光の利用(νの物理,ビームライン,ビームモニター,素粒子実験領域)
• 23pTC-10 窒素原子内包フラーレンN@C_の高純度化と分光(2)(23pTC 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pTC-9 窒素原子内包フラーレンN@C_の高純度化と分光(1)(23pTC 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
• 21aBQ-5 DCBA実験データ解析へのHough変換適用による処理の効率化(21aBQ 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),実験核物理領域)
• 21aBQ-3 DCBA実験におけるDAQシステムの高効率化(21aBQ 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),実験核物理領域)
• 21aBQ-2 二重ベータ崩壊DCBA実験の現状(21aBQ 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),実験核物理領域)
• 10aSA-2 マクロコヒーランス増幅機構を用いたニュートリノ質量分光(VII) : ラマン超放射を用いたバリウム準安定状態の生成(υ質量分光,μ・τの物理,素粒子実験領域)
• 22aZB-11 原子を利用したニュートリノ対生成の基礎研究(22aZB ニュートリノの物理,素粒子実験領域)
• 31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
• 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
• 24pYP-11 ESRによる6H-SiCの空孔クラスターの研究
• 26aYL-13 低温電子線照射による格子間原子型欠陥の探索
• 25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
• 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 21aYE-6 水素吸蔵Pdのイオンビーム照射効果(格子欠陥・ナノ構造(水素・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
• 10aSA-3 マクロコヒーランス増幅機構を用いたニュートリノ質量分光(VIII) : 低温マトリックスに単離・貯蔵した励起原子の分光測定(υ質量分光,μ・τの物理,素粒子実験領域)
• 10aSA-1 マクロコヒーランス増幅機構を用いたニュートリノ質量分光(VI) : Rb原子カスケード超放射の測定(υ質量分光,μ・τの物理,素粒子実験領域)
• 27pSG-3 二重ベータ崩壊測定器MTDの無冷媒超伝導ソレノイド電磁石(27pSG 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),実験核物理領域)
• 27pSG-2 DCBAによる二重ベータ崩壊実験IX(27pSG 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同 二重ベータ崩壊・暗黒物質(合同),,実験核物理領域)
• 20aSN-3 二重ベータ崩壊測定器DCBA-T3の無冷媒超伝導ソレノイド電磁石(20aSN 実験核物理領域,宇宙線・宇宙物理領域合同,二重ベータ崩壞(合同),実験核物理領域)
• 20aSN-2 二重ベータ崩壊測定器DCBA-T3の設計と製作(20aSN 実験核物理領域,宇宙線・宇宙物理領域合同,二重ベータ崩壞(合同),実験核物理領域)
• 20aSN-1 二重ベータ崩壊測定器DCBA-T2の性能(20aSN 実験核物理領域,宇宙線・宇宙物理領域合同,二重ベータ崩壞(合同),実験核物理領域)
• 23aZQ-7 DCBAによる二重ベータ崩壊実験VIII(実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙線・宇宙物理領域合同講演,二重ベータ崩壊・暗黒物質探索(合同)(二重ベータ崩壊),実験核物理領域)
• 12pSB-7 DCBA実験のデータ解析におけるHough変換適用の試み(二重ベータ崩壊,KOTO実験,素粒子論領域)
• 28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
• 29p-D-7 ダイヤモンド結晶中のホウ素超微細相互作用を示す点欠陥
• 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 12pSB-6 二重ベータ崩壊測定器DCBA-T3の無冷媒超伝導ソレノイド電磁石の開発(2)(二重ベータ崩壊,KOTO実験,素粒子論領域)
• 12pSB-5 DCBAによる二重ベータ崩壊実験X(二重ベータ崩壊,KOTO実験,素粒子論領域)
• C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
• SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 24aYF-6 DCBAによる二重ベータ崩壊実験VII(二重ベータ崩壊(合同セッション),24aYF 実験核物理領域,理論核物理領域,素粒子実験領域,素粒子論領域,宇宙船・宇宙物理領域合同,実験核物理領域)
• 15aSB-10 レプトン数非保存探索への新たな実験的アプローチ(Bの物理(CP)・レプトンの物理,素粒子実験領域)
• 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
• 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
• 14pSK-5 固体パラ水素結晶に内包されたXe原子の電子励起状態の分光測定(14pSK LHC物理解析・非加速器実験,素粒子実験領域)
• 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
• 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
• 22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28p-YL-2 γ線を照射したNaNO_2の^Na-NMR
• 民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
• 20aTG-2 アニオンドープされた酸化チタン(IV)の電子構造解析
• 第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
• 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
• 25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
• 19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
• 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク