19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-08-24

著者

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

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