電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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• SiCは,放射線環境下など様々な環境下でSiに代わる新たな半導体デバイス材料として期待されている.Al-doped 4H-SiCエピ膜に200keVの電子線を照射した場合,エピ膜中に存在する二種類のアクセプタ密度が増減することが分かった.異なるエネルギー(100,150,500keV)の電子線を照射した実験結果も交えて,この二種類のアクセプタ密度の増減について検討した.

• 2009-11-27

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原研高崎

• 大嶋 武

  原研高崎

• 野尻 琢慎

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 柳澤 英樹

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 西野 公三

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 大島 武

  独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

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