X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化(半導体材料・デバイス)
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概要
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市販のペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector(SDD)は,X線が入射したときに半導体内部で発生した電子を効率良く収集するため,受光面の反対面に多数のpリングを形成し,それぞれのpリング間を微細加工されたMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)で接続し,素子内部に最適な電位こう配を形成している.本研究では,素子構造の簡素化による低価格化を目指し,微細加工されたMOSFETを含まない構造を検討した.更に,Cd等の有害元素からの高エネルギー蛍光X線を効率良く検出できるように,Si基板の高抵抗率化・厚膜化を目指した構造を提案し,その可能性に関して実験面から検討した.
- 2010-09-01
著者
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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高橋 美雪
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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小原 一徳
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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山本 和代
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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前田 健寿
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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加川 義隆
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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