放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
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概要
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強誘電体を用いたFET型不揮発性メモリであるMFS構造で指摘されている問題点(強誘電体層に電荷が注入され、情報が消滅する点)を、高誘電率常誘電体層で電荷注入を防ぐことで解決するために、MDFDS構造を提案している。このMDFDS構造に用いる高誘電率絶縁膜としてBST(Ba_xSr_1-xTiO_3)誘電体材料を検討しているが、さらに高い絶縁性のBST薄膜を成膜する必要がある。そのため、漏れ電流に影響を及ぼすトラップを放電電流過渡分光(DCTS)法で評価した。そして、BST薄膜の放電電流からトラップを評価し、漏れ電流に影響するトラップ(トラップ準位約1.14eV)を見い出した。また、以前に報告されているDCTS法では考慮されていなかった、トラップの存在する位置によるDCTS信号の変化について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
長谷 貴志
大阪電気通信大学工学部
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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