200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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• 添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200kevの電子線を照射した場合の多数キャリア密度の温度依存性を調べた.さらにこれらの実験結果を用いて,FCCS (Free Carrier Concentration Spectroscopy)法から電子線照射によるドーパント密度及び補償密度の変化を詳細に調べ,添加量及びドーパント種が及ぼす耐放射線性について検討した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2010-12-10

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 小野田 忍

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  原研高崎

• 大嶋 武

  原研高崎

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構

• 野尻 琢慎

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 柳澤 英樹

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 西野 公三

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 小野田 忍

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

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