放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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低抵抗率半導体の欠陥評価として過渡容量法が有用であるが,半絶縁性半導体には適用できないため,過渡電流法の1つである放電電流過渡分光法を開発している.高純度半絶縁性4H-SiCを評価する場合,バルクを流れる電流以外に,表面を流れる漏れ電流があり,バルク中の欠陥評価を困難にしている.今回は,犠牲酸化処理による効果を調べた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
北野谷 征吾
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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北野谷 征吾
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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西川 誠二
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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