多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
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概要
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半導体中に含まれる不純物は, 半導体の電気的特性に大きく影響する. このため,不純物密度とエネルギー準位を正確に評価することが必要である. 本論文では, 複数のドナーとアクセプタが混在する半導体の多数キャリヤ密度の温度依存性n(T)から, グラフ的手法を用いて, 高精度で簡単に不純物を評価する方法を提案した. 評価するための関数をn(T)n(T)exp(E_<ref>/kT)/kT/Nc(T)と定義した. ここで, kはボルツマン定数, Tは測定温度, Nc(T)は有効状態密度, E_<ref>はパラメータである. この関数は各不純物準位に対応した温度でピークを示すため, 各ピーク値とそのときの温度を用いて, 各々の不純物密度とエネルギー準位を評価できることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-25
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
園井 量英
大阪電気通信大学工学部電子工学科
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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