電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について
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概要
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- 2009-11-27
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
野尻 琢慎
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
柳澤 英樹
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
西野 公三
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
大島 武
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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