多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
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概要
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半導体中の多数キャリア密度の温度依存性n(T)から、複数のドーパントおよびトラップの密度とエネルギー準位を高精度で評価できる方法を提案し、検討した。次に、ホール効果測定から窒素をドープしたn型4HSiCのn(T)を測定し、本方法を用いてドナーを評価した。4HSiCに窒素をドープすることにより二種類のドナー準位が形成されることが確認でき、さらに信頼できる二種類のドナー準位とドナー密度を評価することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
-
松浦 秀治
大阪電気通信大学
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