松波 弘之 | 京都大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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黒部 立郎
京都大学大学院工学研究科
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京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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京都大学工学研究科
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京都工芸繊維大学工芸学部
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安井 俊之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
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科学技術事業団さきがけ研究21
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小野島 紀夫
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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三浦 峰生
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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小野島 紀夫
NICT
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松浦 秀治
京都大学工学部電気工学科
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黒部 憲一
京都大学大学院工学研究科
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中村 和広
関西大学工学部電子工学科
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矢野 裕司
京都大学大学院工学研究科
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渡部 康弘
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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二山 拓也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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藤井 正
京都大学工学部電気工学第二学科
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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二山 拓也
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
著作論文
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- 光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長
- 半導体SiCの発展と応用物理
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- SiCステップ制御エピタキシーと電子デバイスへの展開
- アモルファス半導体材料の特性と応用 (アモルファス材料の応用開発を探る)
- SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析
- 多結晶Si太陽電池におけるライフタイムキラーの局所的分布
- 酸素活性種を用いた高品質極薄SiO_2膜の形成とMOSFETへの応用(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- 半導体シリコンカーバイド(SiC)の進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価