須田 淳 | 京都大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 三宅 裕樹

  京都大学大学院工学研究科

• 木本 恒暢

  京都大学光・電子理工学センター

• 奥田 貴史

  京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科

• 三宅 裕樹

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 黒部 立郎

  京都大学大学院工学研究科

• 丹羽 弘樹

  京都大学大学院工学研究科

• 奥田 貴史

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 馮 淦

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科

• 成川 幸男

  日亜化学工業

• 中村 修二

  日亜化学工業

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)第二部門開発部

• 中村 修二

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 川上 養一

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 静雄

  京都大学大学院

• 松波 弘之

  科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都

• 河野 広明

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 成川 幸男

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 藤田 静雄

  京大 国際融合創造セ

• 山口 栄雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属

• 堀田 昌宏

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 山口 栄雄

  神奈川大工:神奈川大hrc

• Fujita Shigetaka

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科

• 木本 垣暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京大

• 奥田 貴史

  京都大学大学院工学研究科

• 梶 直樹

  京都大学大学院工学研究科

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著作論文

• 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
• III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
• 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
• MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
• MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
• 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
• III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発

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