藤田 静雄 | 京大 国際融合創造セ
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概要
関連著者
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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Fujita S
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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藤田 静雄
京都大学大学院
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
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Fujita Shigeo
Department Of Applied Physics And Physico-informatics Keio University
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成川 幸男
日亜化学工業
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Fujita Shizuo
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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FUJITA Shigeo
Department of Electrical Engineering Kyoto University
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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FUJITA Shigetaka
Department of Electrical and Electronic System, Hachinohe Institute of Technology
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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平尾 孝
高知工科大 ナノデバイス研
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KAKEMOTO Hirofumi
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Asano Mitsuru
Department Of Surgery Division Of Cardiovascular Surgery Kobe University Graduate School Of Medicine
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Asano M
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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藤田 茂夫
京都大学工学部
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藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Nishida T
Ntt Basic Res. Lab. Kanagawa Jpn
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KAWAKAMI Yoichi
Department of Electrical Engineering Kyoto University
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藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
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藤田 静雄
京都大学 国際融合創造センター
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KAKEMOTO Hirofumi
Department of Metallurgy and Ceramics Science, Tokyo Institute of Technology
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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Ueda Kentaro
Department Of Cardiology Hiroshima City Asa Hospital
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Ueda K
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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Park Doo-cheol
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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田中 秀和
阪大産研
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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竹田 美和
名大工
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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向田 昌志
山形大学工学部
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SUDA Jun
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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青柳 克信
理研
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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毛塚 博史
東京工科大
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三木 一司
物材機構
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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粟野 祐二
富士通研
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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竹田 美和
名大院工
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小田中 紳二
阪大
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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向田 昌志
山形大
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三木 一司
電総研
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酒井 朗
大阪大学
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尾崎 雅則
大阪大学
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金田 千穂子
富士通研究所
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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宮崎 照宣
東北大工
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田中 悟
理研半導体工学研究室
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RAMVALL Peter
理研
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RIBLET Philippe
理研
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野村 晋太郎
理研
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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Ramvall P.
理研
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Riblet P.
理研
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成川 幸男
京大工
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川上 養一
京大工
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藤田 静雄
京大工
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藤田 茂夫
京大工
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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Ogawa Masahiro
Department of Cardiology, Fukuoka University School of Medicine
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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高橋 庸夫
北大
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Ueda Kentaro
Department of Cardiology, Hiroshima City, Asa Hospital
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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松尾 二郎
京大院工
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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Watanabe Satoshi
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
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川田 善正
静岡大学 工学部
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BABA Akira
Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学
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橋本 潤
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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WADA Satoshi
Department of Research Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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Aoki Satoshi
Department of Cardiovascular center, Chiba-Hokusoh Hospital, Nippon Medical School
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白谷 正治
九大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
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田村 收
産総研 計測標準研究部門
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
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末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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財満 鎭明
名大院工
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中川 清和
山梨大大学院
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進藤 春雄
東海大 工
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梶川 浩太郎
東工大・工
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
Baba Akira
Department Of Cardiovascular Medicine Wakayama Medical University
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Baba A
Niigata Univ. Niigata Jpn
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和田 智志
Department Of Metallurgy And Ceramics Science Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Insti
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和田 智史
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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TSURUMI Takaaki
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Tsurumi Takaaki
Department of Inorganic Materials, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Te
-
松本 仁
防衛大学校
-
影島 愽之
Ntt物性基礎研
-
Suda J
Sasebo National Coll. Of Technol. Nagasaki
-
Suda J
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
Suda Jun
Department Of Electronics Science And Engineering Kyoto University
-
Ueda K
Institute For Laser Science University Of Electro-communications
-
Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
成川 幸男
京都大学工学研究科電子物性工学
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- Synthesis of BaTiO_3 Thin Films Substituted with Hafnium and Zirconium by a Laser Ablation Method Using the Fourth-harmonic Wave of a YAG Laser
- Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
- Preparation of La-Modified Lead Titanate Film Capacitors and Influence of SrRuO_3 Electrodes on the Electrical Properties
- 有機薄膜マルチ構造の真空作製と発光ダイナミクス
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- OME2000-52 有機EL薄膜へのC_添加効果
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- Comparative Study of Photoluminescence Dynamics of Tris (8-hydroxyquinoline) Aluminum-Based Organic Miltilayer Structures with Different Types of Energy Lineups
- Photoluminescence Dynamics of Aluminumquinoline/Oxadiazole Multilayer Structures
- Optical Properties of Aluminumquinoline-Oxadiazole Codeposited Luminescent Layers
- Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
- Molecular Beam Epitaxial Growth Behaviors of Zn1-xCdxSe on the GaAs(110)Surface Cleaved in Ultra High Vacuum (第37回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス(1996年10月30日〜11月1日,大阪))
- (2×6) Surface Reconstruction of GaAs (001) Obtained by Hydrogen Sulfide Irradiation
- 第5回「科学と生活のフェスティバル」の報告
- Ferroelectric and Pyroelectric Properties of Ba_Pb_x Ti_(Hf_,Zr_)_O_3 Thin Films : Electrical Properties of Condensed Matter
- Ferroelectric SrxBa1-xNb2O6 Synthesized by YAG Laser Deposition
- Preparation and Ferroelectric Properties of BaTiO3 Related Thin Films
- Preparation and Ferroelectric Properties of Ti-Site Substituted BaTiO_3 Thin Films
- The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
- Properties and Degradation of Polarization Reversal of Soft BaTiO_3 Ceramics for Ferroelectric Thin-Film Devices
- Formation of an Atomically Flat Surface of ZnSe on GaAs(001) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- エレワザ×エレザイ(FILE 10)ミストを利用した薄膜成長技術および加工技術の開発
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- ZnOの基本物性と光デバイス応用
- Surface Treatment of Indium-Tin-Oxide Substrates and Its Effects on Initial Nucleation Processes of Diamine Films
- 半導体低次元系における励起子物性とレーザへの応用
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦