Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-03-01
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
Fujita Shizuo
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
FUJITA Shigeo
Department of Electrical Engineering Kyoto University
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
Fujita Shigeo
Department Of Applied Physics And Physico-informatics Keio University
-
Park Doo-cheol
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
KO Hyun-Chul
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology
-
Ko H‐c
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Fujita Shizuo
Department Of Electrical Engineering Kyoto University
-
Ko Hyun-chul
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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