GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
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概要
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分子線エピタキシー法により超高真空においてへき開したGaAs(110)基板上へのZnSe系半導体のエピタキシャル成長に関する研究を行った。成長条件の最適化を反射高エネルギー電子線回折、フォトルミネッセンス、2結晶X線ロッキングカーブ測定により行うことによりへき開基板上に高品質 Zn_<0.85>Cd_<0.15>Se/ZnSe 単一量子井戸構造を作製することに成功した。単一量子井戸からの発光は強い偏光異方性が観察された。(110)量子井戸の作製において成長を一旦停止させるプロセスは、光学的特性を劣化させることが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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藤田 静雄
京都大学大学院
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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高 賢哲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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朴 斗哲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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