ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
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概要
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ZnMgSSeはGaAs基板に格子整合を取りながら広い範囲でバンドギャップを変化させることができる材料であり、可視短波長半導体レーザーのクラッド層として非常に適した材料である。本研究では、このZnMgSSe四元混晶を、Mg原料として有機金属ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム((MeCp)_2Mg)、S原料として硫化水素、Zn、Se原料に固体Zn、Seを用いた有機金属分子線エピタキシャル(MOMBE)成長法により初めて成長実験を行い、フォトルミネッセンス、X線回折測定により評価した。ある条件で成長した結晶は、鋭いバンド端発光が支配的な光学的に良好な特性を示し、このことから(MeCp)_2MgはZnMgSSe四元混晶のMOMBE成長に十分使用可能であると考えることができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
藤田 茂夫
京都大学工学部
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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