ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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次世代パワーデバイス用半導体として期待されているシリコンカーバイド(SiC)を用いて横型高耐圧MOSFETを作製した.横型構造において高耐圧化を実現するため,Reduced Surface Field(RESURF)構造を採用した.実際に作製したデバイスは,ドレイン領域近傍に形成した低濃度n型のRESURF領域内部にp型領域(表面p層)を持つダブルRESURF構造とした.通常のRESURF構造とは異なり,ダブルRESURF構造ではRESURF領域中にp型領域が存在するため空乏化が進みやすい.したがって,耐圧の低下を招くことなくRESURF領域を高濃度化することができ,ドリフト抵抗成分の低減が期待できる.本研究で作製した横型SiCダブルRESURF MOSFETは1380Vという高耐圧と66mΩcm^2という低いオン抵抗を実現した.同時に作製した通常の横型SiC RESURF MOSFETと比較すると,ダブルRESURF構造にすることでドリフト抵抗成分を40%まで低減した.このデバイスはこれまで報告のあった横型MOSFETとして最高の特性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
登尾 正人
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
木本 恒暢
京大
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