SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
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概要
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SiCへのイオン注入による低抵抗層の形成とパワーデバイス応用に関する結果を述べる。Alイオン注入では高温注入、高温アニールを行うことでシート抵抗の最小値として3.6kΩ/□(p型)を得た。Pイオン注入でも、同様に最小値として105Ω/□(n型)を得た。Alイオンを高温注入することで表面p^+層を形成し、Bイオンを室温注入することでp層を形成したプレーナ型pn接合ダイオードを作製した。このダイオードで良好な整流性が確認でき、2600Vの高耐圧と8.0mΩcm^2の低いオン抵抗、10ns程度の高速スイッチング特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
宮本 直
京都大学
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
根来 佑樹
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
宮本 直
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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