ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析
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概要
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従来a-SiC:Hを作製する場合、シリコン源のSiH_4と炭素源のCH_4を混合して高周波プラズマで同時に分解している。今回、分解が困難であるCH_4を予めマイクロ波プラズマで分解した後、SiH_4が分解されている高周波プラズマに導入して膜を堆積するハイブリッドプラズマCVD法によりa-SiC:Hを作製した。X線光電子分光法と赤外吸収分光法を利用して膜内原子、特に炭素原子の結合様式について解析した結果、堆積条件によってグラファイト的なC-C結合あるいは結晶SiC的なSi-C結合となることが分かった。。ハイブリッドプラズマCVD法は原料ガスの分解を制御することでa-SiC:Hの結合様式を変化させることができ、結晶SiC的な結合で良好な光電特性を有するa-SiC:Hの作製が可能と考えられる。
- 1994-11-24
著者
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
-
吉本 昌広
京都大学工学部電気工学科
-
吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
藤井 正
京都大学工学部電気工学第二学科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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