松波 弘之 | 京都大学工学部電気電子工学教室
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概要
関連著者
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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松波 弘之
京都大学工学部
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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松波 弘之
京大工
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植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
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森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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矢野 裕司
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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小杉 肇
京都大学工学研究科電子工学
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飯田 倫之
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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宮本 直
京都大学
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金廣 正彦
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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金廣 正彦
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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宮本 直
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
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田村 聡之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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冬木 隆
国立奈良先端科学技術大学院大学
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孫 雲華
京都大学工学研究科 電子物性工学
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平尾 太一
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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平尾 太一
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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藤平 景子
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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吉本 昌広
京都大学工学部電気工学科
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佐原 隆介
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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二山 拓也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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安井 俊之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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David MULATI
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
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三浦 峰生
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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Mulati D
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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田中 哲郎
京大工
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中村 俊一
京都大学工学研究科
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鈴木 彰
京都大学工学部
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渡部 康弘
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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小池 貴夫
京都大学工学部
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小倉 卓
京都大学工学部
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田中 哲郎
京都大学工学部
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黒部 憲一
京都大学工学研究科
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小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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木本 恒暢
京大
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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山本 敏之
京都大学工学研究科電子物性工学教室
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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松波 弘之
科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
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神崎 庸輔
京都大学工学研究科電子工学専攻
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海藤 淳司
京都大学工学研究科電子工学
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根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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西野 茂弘
京都工繊大学
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西野 茂弘
京都工繊大
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Mulati David
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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根来 佑樹
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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大本 恒暢
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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松浦 秀治
京都大学工学部電気工学科
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石田 誠
京大工
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黒部 立郎
京都大学大学院工学研究科
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竹村 治
京都大学工学部
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伊藤 明
京都大学工学部
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吉信 達夫
京都大学工学部電気工学第二教室
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岡 徹
日立製作所
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芝原 健太郎
京大工
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芝原 健太郎
京都大学工学部電気工学第二教室
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久良木 億
京都大学工学部
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松村 茂雄
京都大学工学部
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
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黒部 立郎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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河 相勲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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伊藤 満作
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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伊藤 明
京都大学電子物性工学教室
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藤森 敬和
京都大学工学部
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竹村 治
京都大学電子物性工学教室
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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藤井 正
京都大学工学部電気工学第二学科
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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村中 誠志
京都大学工学部
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石田 誠
京都大学工学部
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小原 天
京都大学工学部
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吉田 博康
京都大学工学部
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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芝原 健太郎
京都大学工学部
著作論文
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
- 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- 結晶成長と工学 : 二ーズとの接点
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- Crystal Growth of Electronic Materials, E.Kaldis(編), 1985年, North-Holland発刊, 200×265mm, 396ページ, Dfl. 235.00
- 半導体材料における材料設計
- Size Effects in Thin Films, C.R. Tellier and A.J. Tosser (著), 1982年, Elsevier Scientific Publishing Co.発行, A5版, 310ページ, Dfl.160.00
- "Current Topics in Materials Science, Volume 9", E. Kaldis(監修), (1982年, North-Holland Publishing Company 発刊, 155×230mm, 513ページ, Dfl. 235.00)
- "Current Topics in Materials Science", (ed.) E. Kaldis, (1980年, North-Holland Publishing Co. 発刊, 23×16cm, 481ペ-ジ, Dfl. 180)
- In_Ga_xP_As_y結晶のGaAs (100)基板上へのLPE成長 : III-V族化合物半導体など
- セッション印象記 : Amorphous and Dielectrics : 第4回気相成長およびエピタキシー国際会議ならびにスペシャリスト・スクール
- "Topics in Applied Physics, Vol. 17: Electroluminescence", J.I. Pankove著, (1977年, Springer-Verlag発刊, 235×158mm, 212頁, \10,560)
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- SiCステップ制御エピタキシーと電子デバイスへの展開
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
- 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
- SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
- 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
- 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
- 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
- ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析
- 多結晶Si太陽電池におけるライフタイムキラーの局所的分布
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
- MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- プラズマCVD法によって堆積した太陽電池用Si薄膜の不純物ドーピング特性
- 「励起状態活用によるシリコンヘテロ界海面制御 : 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の形成」
- CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御
- SiC熱酸化膜のオージェ電子分光分析