中村 俊一 | 京都大学工学研究科電子工学

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 京都大学工学研究科電子工学の論文著者

関連著者

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科電子工学

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 田中 正一

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 松波 弘之

  京都大学工学部電気電子工学教室

• 松波 弘之

  京都大学工学部

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学工学研究科

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 三浦 峰生

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 木本 恒暢

  京大

もっと見る 閉じる

著作論文

• 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
• パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

スポンサーリンク