木本 恒暢 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

スポンサーリンク

概要

• 木本 恒暢の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の論文著者

関連著者

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 松波 弘之

  京都大学工学部電気電子工学教室

• 松波 弘之

  京都大学工学部

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 木本 恒暢

  京大

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 松波 弘之

  京都大学工学研究科

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科

• 矢野 裕司

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 矢野 裕司

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学

• 小野島 紀夫

  NICT

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 田村 聡之

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 東脇 正高

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 宮本 直

  京都大学

• 藤平 景子

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 須田 淳

  京都大学

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 植田 康之

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 登尾 正人

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 小杉 肇

  京都大学工学研究科電子工学

• 飯田 倫之

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 金廣 正彦

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 金廣 正彦

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 平尾 太一

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 宮本 直

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 吉岡 裕典

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 石川 順三

  Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• TSUJII Hirohiko

  Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences

• 松波 弘之

  京大工

• 酒井 滋樹

  日新イオン機器株式会社

• 孫 雲華

  京都大学工学研究科 電子物性工学

• 平尾 太一

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 辻 博司

  Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University

• Tsuji Hiroshi

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 三村 高志

  情報通信研究機構

• 森泉 和也

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• Tsujii Hirohiko

  Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences

• 竹内 光明

  独立行政法人科学技術振興機構イノベーションプラザ京都

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊藤 明

  京都大学電子物性工学教室

• 松波 弘之

  京都大学 工学研究科

• 佐原 隆介

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• Hirama Toshiyasu

  Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences

• Tsujii Hirohiko

  バングラデシュ

• Tsujii Hirohiko

  Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科

• 辻 博司

  京都大学大学院工学研究科

• 三村 高志

  富士通研究所

• 松波 弘之

  科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科電子工学

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 神崎 庸輔

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 根来 佑樹

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 大和田 淳

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 伊藤 明

  京都大学工学部

• 長尾 昌善

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科

• 吉岡 裕典

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 竹村 治

  京都大学電子物性工学教室

• 藤平 景子

  京都大学 工学研究科

• 田村 聡之

  京都大学 工学研究科

• 木本 恒暢

  京都大学 工学研究科

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 須田 淳

  JSTさきがけ

• 木本 恒暢

  京大院・工

• 長尾 昌善

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科

• 井上 尚也

  京都大学電子物性工学教室

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学工学部電気電子工学科

• 山本 敏之

  京都大学工学研究科電子物性工学教室

• 小島 俊彦

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 河野 広明

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 海藤 淳司

  京都大学工学研究科電子工学

• 須田 淳

  科学技術事業団さきがけ研究21

• 小野島 紀夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 三浦 峰生

  京都大学工学研究科 電子物性工学専攻

• 根来 佑樹

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 大本 恒暢

  京都大学工学研究科電子物性工学専攻

• 竹村 治

  京都大学工学部

• 竹内 光明

  JSTイノベーションプラザ京都

• 酒井 善基

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 矢野 裕司

  京都大学大学院工学研究科

• 堀田 昌宏

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学電子物性工学教室

• 松波 弘之

  京都大学電子物性工学教室

• 秋田 浩伸

  京都大学工学部

• 武本 大作

  京都大学工学部

• 漆谷 多二男

  富士電機総合研究所

• 木本 恒暢

  富士電機総合研究所

• 松波 弘之

  富士電機総合研究所

• 南園 悠一郎

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 森岡 直也

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻

• 松浦 秀治

  大阪電気通信大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
• 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
• MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
• 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
• 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
• 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
• SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
• 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
• p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
• SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
• Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
• パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
• SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
• 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
• リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
• シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
• SiCプロセス技術
• SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 高反転層チャネル移動度を有するプレーナ型4H-SiC MOSFETs (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (MOSデバイスプロセス)
• エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
• 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• SiCへのイオン注入とデバイス応用
• 高品質6H-、4H-SiCの結晶成長とパワーショットキーダイオードへの応用
• SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製
• 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製
• 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
• 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
• SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
• SiC半導体材料,デバイスとコンタクト材料 (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
• 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
• 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
• 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
• 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• 半導体シリコンカーバイドの結晶成長と物性に見られる異方性 (特集 異方性工学のすすめ(1)構造と異方性)
• ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高効率電力変換用SiCパワーデバイス

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク