酒井 滋樹 | 日新イオン機器株式会社
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概要
関連著者
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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後藤 康仁
京都大学工学研究科
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辻 博司
京都大学工学研究科
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石川 順三
京都大学工学研究科
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丹上 正安
日新電機
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石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松田 耕自
日新電機
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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豊田 啓孝
京都大学工学部電子工学教室
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酒井 滋樹
日新電機(株)研究開発本部
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豊田 啓孝
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
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Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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松田 耕自
日新電機(株)
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Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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丹上 正安
日新電機(株)研究開発本部
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Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
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Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科
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丹上 正安
日新電機(株)
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小島 俊彦
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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竹内 光明
独立行政法人科学技術振興機構イノベーションプラザ京都
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南雲 正二
京都大学工学部電子工学教室
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
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横田 勝弘
関西大学工学部
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高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
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中村 好志
京都大学工学研究科
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池尻 忠司
日新イオン機器株式会社
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海勢頭 聖
日新イオン機器株式会社
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長井 宣夫
日新イオン機器株式会社
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大和田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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熊谷 正夫
神奈川産技セ
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高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
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西村 英敏
関西大学工学部・HRC
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寺田 耕一郎
関西大学工学部・HRC
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酒井 滋樹
日新電機
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熊谷 正夫
神奈川産総研
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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酒井 滋樹
日新電機株式会社研究開発本部
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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木本 恒暢
京大
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長尾 昌善
産業技術総合研究所
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中村 和広
関西大学工学部
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青木 正彦
日新電機(株)
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中村 好志
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小島 俊彦
京都大学工学研究科
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金丸 正則
産業技術総合研究所
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平井 清人
神奈川高度技術支援財団
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遠藤 恵介
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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石川 順三
中部大学工学部電子情報工学科
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中村 和広
関西大学工学部専任講師
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竹内 光明
JSTイノベーションプラザ京都
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酒井 善基
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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岡山 芳央
三洋電機株式会社技術開発本部
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岡山 芳央
京都大学工学部電子工学教室
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高橋 正人
日新電機(株)
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山原 登
日新電機(株)
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丹上 正安
日新電機株式会社研究開発本部
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松田 耕自
日新電機株式会社研究開発本部
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河合 禎
日新電機(株)研究開発部
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大西 浩之
京都大学工学部
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高橋 正人
日新電機
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松田 耕自
京都大学工学部電子工学教室
著作論文
- シリコン電界放出電子源から放出される電子のエネルギー分析
- イオン注入装置の帯電緩和素子への応用を目指したシリコンフィールドエミッタアレイの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響
- ジボランイオン注入によってシリコンに添加されたボロンの活性化
- 負イオン注入における絶縁した電極表面の帯電電位のイオン電流密度依存性
- 極浅接合形成用イオン注入装置の開発
- 微細周期構造にイオン注入したときの素子帯電のシミュレーション
- イオン誘起二次電子による負イオン注入時の絶縁物基板の帯電測定
- 絶縁性基板への負イオン注入によるチャージアップの軽減
- 負イオン注入における基板帯電モデルとその評価
- イオン誘起二次電子分析による負イオン注入時のレジスト膜の帯電測定