木本 恒暢 | 京都大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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木本 恒暢
京大
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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吉岡 裕典
京都大学工学研究科電子工学専攻
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石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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竹内 光明
独立行政法人科学技術振興機構イノベーションプラザ京都
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
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Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
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三宅 裕樹
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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丹羽 弘樹
京都大学大学院工学研究科
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奥田 貴史
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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三宅 裕樹
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学光・電子理工学センター
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奥村 宏典
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊地 諒介
京都大学工学研究科電子工学専攻
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奥田 貴史
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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大和田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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吉岡 裕典
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻
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森岡 直也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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中村 孝
ローム株式会社
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馮 淦
京都大学大学院工学研究科
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中村 亮太
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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東雲 秀司
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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柏木 勇作
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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保坂 重敏
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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浅原 浩和
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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中野 佑紀
ローム株式会社
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松浦 秀治
大阪電気通信大学工学部電気電子工学科
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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渡辺 直樹
京都大学
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松波 弘之
京都大学工学部
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松波 弘之
科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
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小島 俊彦
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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河野 広明
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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登尾 正人
京都大学工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
科学技術事業団さきがけ研究21
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小野島 紀夫
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中村 亮太
ローム株式会社研究開発本部
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矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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木本 恒暢
京都大学
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小野島 紀夫
NICT
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須田 淳
京都大学
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日吉 透
京都大学工学研究科電子工学専攻
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堀 勉
日立金属株式会社磁性材料研究所
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鈴木 亮太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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竹内 光明
JSTイノベーションプラザ京都
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酒井 善基
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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矢野 裕司
京都大学大学院工学研究科
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堀田 昌宏
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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南園 悠一郎
京都大学工学研究科電子工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻
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森 誠語
京都大学工学研究科電子工学専攻
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松浦 秀治
大阪電気通信大学 工学研究科 電子通信工学専攻
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中野 佑紀
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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松浦 秀治
大阪電気通信大学
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梶 直樹
京都大学大学院工学研究科
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箕谷 周平
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
-
中野 佑紀
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
著作論文
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
- SiCプロセス技術
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
- 高効率電力変換用SiCパワーデバイス
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)