高効率電力変換用SiCパワーデバイス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-08-10

著者

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

関連論文

• 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
• 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
• 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
• MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
• 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
• 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
• 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
• SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
• 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
• p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
• SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
• Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
• パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
• SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
• 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
• 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
• リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
• シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
• シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
• SiCプロセス技術
• SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高反転層チャネル移動度を有するプレーナ型4H-SiC MOSFETs (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (MOSデバイスプロセス)
• エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
• 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• SiCへのイオン注入とデバイス応用
• 高品質6H-、4H-SiCの結晶成長とパワーショットキーダイオードへの応用
• SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製
• 低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製
• 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
• SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
• 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
• SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
• SiC半導体材料,デバイスとコンタクト材料 (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
• 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
• 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
• 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
• 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• 半導体シリコンカーバイドの結晶成長と物性に見られる異方性 (特集 異方性工学のすすめ(1)構造と異方性)
• ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
• 高効率電力変換用SiCパワーデバイス
• 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
• 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク