MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- 光-CVD膜の電子材料への応用 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 第6回強誘電体国際会議
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- PLZT薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- SiCステップ制御エピタキシーとデバイス応用(学会統合記念)
- プログラム編成を担当して(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 結晶成長と工学 : 二ーズとの接点
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- SiCおよび関連材料国際会議報告
- SiC および関連ワイドギヤップ半導体研究会
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- CVD法によるα-SiCのエピタキシャル成長
- β-SiCの気相成長
- SiCの気相成長 : エピタクシー
- 12a-H-8 p-CdSbの極低温における高電界効果
- Cd_3As_2の電気的性質 : 半導体(化合物・音波)
- 5a-G-5 Cd_3As_2のホール効果
- 3p-G-5 化合物半導体Cd_3As_2単結晶作成とその性質
- II-V化合物半導体Cd_3As_2の結晶成長 : 半導体 : 結晶成長
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 半導体SiCの発展と応用物理
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 青色発光ダイオ-ドの動向 (オプト・エレクトロニック素子)
- 半導体シリコンカーバイドの結晶成長と物性に見られる異方性 (特集 異方性工学のすすめ(1)構造と異方性)
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素励起活性種を用いた高品質SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種を用いた高品質極薄SiO_2膜の形成とMOSFETへの応用(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 7p-YH-1 3C-SiC/Siヘテロエピタキシー界面構造の原子層レベル制御
- プラズマCVD法によって堆積した太陽電池用Si薄膜の不純物ドーピング特性
- 「励起状態活用によるシリコンヘテロ界海面制御 : 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の形成」
- CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御
- ステップ制御エピタキシ-によるSiCの単結晶成長
- シリコンカーバイド (SiC) 単結晶成長とその応用
- InP系材料の物性とデバイス
- 太陽電池の接合構造における問題点 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
- EBICを用いた位相差法による少数キャリヤのライフタイムと拡散定数の測定
- SiC熱酸化膜のオージェ電子分光分析