酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
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概要
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酸素活性種を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を制御性良く低温で形成することができた。形成されたSiO_2膜の電子物性を電流/電圧、ならびに容量/電圧特性により詳細に評価した。トンネル伝導電流を解析することにより、酸素活性種を用いて形成されたSi/SiO_2界面は、高温で形成された熱酸化膜と同程度の高品位特性を有することが明らかになった。過度放電電流法により、膜中電子トラップのエネルギー準位ならびに空間分布を定量的に評価した結果について議論する。さらに、MOSFETのゲート酸化膜として適用した実験結果について報告する。
- 1998-07-24
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
二山 拓也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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