多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減という面から、歩留りよく高効率な薄型シリコン太陽電池を作製できるプロセスの開発が急務となっている。そこで本研究では、低温プロセスであるレーザーを用いたドーピング法による多結晶太陽電池の作製を目的とする。これまでに、波長532nmのNd : YVO_4レーザーを用いて太陽電池を作製し、多結晶基板において懸念されていた結晶粒界による悪影響がないことを確認した。また、レーザー照射により基板表面にキャビティが形成されることがわかった。さらに、レーザー照射を2回行うことでキャビティの除去及び特性の向上が確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
舟谷 友宏
奈良先端科学技術大学院大学
-
高山 環
奈良先端科学技術大学院大学
-
長谷川 光洋
奈良先端科学技術大学院大学
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学
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