レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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太陽電池普及に伴い、結晶系シリコン太陽電池における安定的な高効率化が望まれている。一般的に結晶系シリコン太陽電池はp型シリコン基板が用いられているが、基板中のボロンー酸素錯体が再結合中心として働き、効率低下を引き起こす。そのため、ボロン酸素錯体を持たないn型シリコン基板を用いた太陽電池が将来有望であると考えられる。しかし、拡散係数の低いボロンでは高効率へ向けた微細な構造を持つ太陽電池の製造は困難である。そこで、局所的なドーピングが容易であるレーザーを用いてn型単結晶シリコン基板に微細構造を形成し、高効率化を目指している。現在、微細な構造を形成したことで電気特性が向上したことを確認した。
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
西村 英紀
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
森崎 翔太
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
杉村 恵美
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
森崎 翔太
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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