水素ラジカル励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術 : 成長初期段階の結晶化シリコン成膜・評価技術(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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結晶性シリコン(μc-Si:H)直接成膜法として、低ポテンシャルで高密度のシランプラズマを形成できるSide-Wall電極型PECVD成膜装置を開発し、SiO_2膜上に原子状水素(ラジカル)励起を利用したシリコン核形成のステップとシランプラズマを用いて低温下(400℃)でμc-Si:H 膜を堆積させる2段階ステップの成膜手法の研究を行った。この成膜法を用いて成長界面領域から高い結晶性を有するシリコン膜の形成が可能であることをTEM、UV-Raman分光法で評価し、さらにTFT特性から求めた電子移動度の結果からその有効性を立証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
高橋 英治
日新電機株式会社
-
緒方 潔
日新電機株式会社
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
北島 浩司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
桐村 浩哉
日新電機株式会社技術開発研究所
-
久保田 清
日新電機株式会社技術開発研究所
-
岸田 茂明
日新電機株式会社技術開発研究所
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