励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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窒化膜およびシリコン酸窒化膜は、高誘電率、ボロンの突き抜けを抑制する特性から、従来のシリコン熱酸化膜に変わる最も有望なゲート絶縁膜材料として注目を集めている。本研究の目的は、窒素励起活性種を用いてシリコン窒化膜を形成することで、窒化膜作製プロセス全体の低温形成を行うことである。室温から600℃で作製したシリコン窒化膜をSIMS及びXPSを用いて窒化膜の組成解析を行なった。さらにAFMを用いて表面の平坦性を確認し、電流一電圧特性を測定することで電子伝導メカニズムの解析を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-19
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
岡本 武士
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
今奥 崇夫
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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