Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Japan Society of Applied Physicsの論文
• 2009-02-25

著者

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• OKAMOTO Dai

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• YANO Hiroshi

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• OSHIRO Yuki

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• HATAYAMA Tomoaki

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• URAOKA Yukiharu

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• FUYUKI Takashi

  Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology

• Yano H

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Yano Hiroshi

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Hatayama Tomoaki

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Fuyuki Takashi

  Graduate School Of Material Science Nara Institute Of Science And Technology

• Okamoto Dai

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Oshiro Yuki

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Uraoka Yukiharu

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• Fuyuki Takashi

  Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn

• Uraoka Yukiharu

  Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology, Takayama 8916-5, Ikoma, Nara 630-0192, Japan

• Hatayama Tomoaki

  Graduate School of Engineering, Kyoto Univercity

関連論文

• 21aPS-95 斜入射スパッタ法によるPbTiO_3の自己組織化ナノ結晶アレイの作製と評価(21aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)
• ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
• NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜のバイオ結晶化法 (オプトロニクス 石油代替・ナノバイオ材料の可能性,「薄く」,「しなやか」な物性が得られる--FPD用部材における「バイオマス資源・タンパク質材料」の応用・採用の技術トレンド)
• 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
• シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• ナノテクMOVEMENTS(VOL.11)タンパク超分子を用いたシリコン薄膜の低温結晶化
• 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(シリコン関連材料の作製と評価)
• フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 技術トピック Niナノ粒子を内包したフェリチンのシリコン非晶質薄膜の結晶化
• シリコンナノ界面制御による光電極動作の理論解析 (特集 太陽エネルギー変換の最近動向)
• Material Report R&D バイオを用いたプロセス:バイオナノコアによるアモルファスシリコン膜の結晶化
• シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• 低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果
• 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
• 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
• フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜の結晶化法 (特集 エレクトロニクスデバイスを支える高分子材料,技術)
• 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム--シリコン薄膜の低温結晶化 (有機エレクトロニクス)
• 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム--シリコン薄膜の低温結晶化 (シリコン材料・デバイス)
• バイオの技術を応用した新しい半導体デバイスの研究
• 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures
• Novel Stacked Nanodisk with Quantum Effect Fabricated by Defect-free Chlorine Neutral Beam Etching
• A New Silicon Quantum-Well Structure with Controlled Diameter and Thickness Fabricated with Ferritin Iron Core Mask and Chlorine Neutral Beam Etching
• Reduction of a Ferritin Core Embedded in Silicon Oxide Film for An Application to Floating Gate Memory
• マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
• 電子線起電流法による薄膜多結晶Si太陽電池の接合評価
• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
• フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価)
• フェリチンタンパク質を用いたナノデバイスの作製
• ナノカラム作製のための金属タンパク質の配列制御
• Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
• 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
• SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
• 水素ラジカル励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術 : 成長初期段階の結晶化シリコン成膜・評価技術(半導体Si及び関連材料・評価)
• Reliability Analysis of Ultra Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
• Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing
• Crystallinity evaluation by microwave photoconductivity decay in double-layered polycrystalline silicon thin films crystallized by solid green laser annealing
• Low temperature polycrystalline silicon thin film transistors flash memory with silicon nanocrystal dot
• Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC{0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System
• Improvement of Reliability in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors by Water Vapor Annealing
• Floating Nanodot Gate Memory Devices Based on Biomineralized Inorganic Nanodot Array as a Storage Node
• Analysis of Photoelectrochemical Processes in α-SiC Substrates with Atomically Flat Surfaces
• Electron Injection into Si Nanodot Fabricated by Side-Wall Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Fabrication of Anodic Oxidation Films on 4H-SiC at Room Temperature Using HNO_3-Based Electrolytes
• Role of Hydrogen in Dry Etching of Silicon Carbide Using Inductively and Capacitively Coupled Plasma
• High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties
• Degradation in Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors Depending on Grain Boundaries
• Gate Length Dependence of Hot Carrier Reliability in Low-Temperature Polycrystatline-Silicon P-Channel Thin Film Transistors
• Low Temperature Nitridation of Si Oxide Utilizing Activated Nitrogen(Semiconductors)
• Comprehensive Study on Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors under Dynamic Complimentary Metal-Oxide Semiconductor Operations
• Floating Gate MOS Capacitor with High-Density Nanodots Array Produced by Protein Supramolecule
• Enhancement of crystal growth rate of Bio-Nano Crystallization by Pulsed Rapid Thermal Annealing
• High-Density Floating Nanodots Memory Produced by Cage-Shaped Protein
• Fabrication of Defect-Free Sub-10nm Si Nanocolumn for Quantum Effect Devices Using Cl Neutral Beam Process
• Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
• デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
• Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ : PECVD法を用いたSiナノドットへの電子注入(半導体Si及び関連材料・評価)
• シリコン界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション(半導体Si及び関連材料・評価)
• Suppression of Self-Heating in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transitors
• Low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor flash memory with ferritin
• Improving High-κ Gate Dielectric Properties by High-Pressure Water Vapor Annealing
• システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタ--LTPS-TFTの現状と課題 (FPD製造装置小特集)
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
• 7p-YH-1 3C-SiC/Siヘテロエピタキシー界面構造の原子層レベル制御
• p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
• 次世代情報端末「システムオンパネル」の実現をめざして (特集 ナノ・ケモテクノロジーへの招待--奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科)
• ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)
• ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク