三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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近年低温poly-Si TFT (LTPS TFT)移動度の向上により、CPUやメモリなどの集積回路を同一基板上に作製するシステムオンパネル(SOP)が注目され、そのメモリにはフラッシュメモリが期待されている。今回我々はa-Si/Si0_2/a-Siの積層構造の基板に532nmのグリーンレーザーを照射することで、上層および下層のa-Siを同時に結晶化し、上層をフローティングゲート、下層をチャネル層とした低温poly-Si TFTフラッシュメモリを作製およびメモリ特性の評価を行った。その結果、チャネル層のSiの結晶性の向上により、ON電流の向上がみられるなどTFTの特性が向上した。また結晶時における融解熱により酸化膜がアニールされることで、メモリ特性にも大幅な特性向上がみられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-27
著者
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端大:crest
-
市川 和典
神戸市立工業高等専門学校
-
松江 将博
神戸市立工業高等専門学校
-
赤松 浩
神戸市立工業高等専門学校
-
赤松 浩
神戸市工高専
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