高圧水蒸気熱処理によるa-In_2Ga_2Zn_1O_7 TFTの特性改善効果(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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• 非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は,透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で,有用な材料である.a-IGZO TFTの特性改善には,ポストアニール処理が有効である.本研究では,高圧水蒸気雰囲気下においてポストアニール処理を行い,特性改善を検討した.その結果,SiO_2/IGZO界面の改善による欠陥の減少が示唆され,大気圧下での乾燥熱処理に比べてTFT特性が改善されることがわかった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2010-12-10

著者

• 堀田 昌宏

  奈良先端大

• 藤井 茉美

  奈良先端科学技術大学院大学

• 石河 泰明

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 浦岡 行治

  奈良先端大:crest

• 堀田 昌宏

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 丸山 智己

  奈良先端科学技術大学院大学

• 笠見 雅司

  出光興産株式会社

• 矢野 公規

  出光興産株式会社

• 石河 泰明

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀田 昌宏

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 石河 泰明

  奈良先端科技大:CREST-JST

• 浦岡 行治

  奈良先端大物質創成科学研究科

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