グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して,グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.GLAにおける照射エネルギー密度の増加とともに,上層多結晶シリコン(poly-Si)膜の粒径が増加し,また,下層poly-Si膜の結品性が向上した.さらに,結晶化した積層シリコン薄膜を用いて,異なる機能を有する薄膜デバイスを同時プロセスで作製することを試みた.上層poly-Si膜および下層poly-Si膜にそれぞれ作製した薄膜トランジスタ(TFT)と薄膜フォトダイオード(TFPD)において,デバイス動作が確認された.また.GLAにおける照射エネルギー密度を増加させ,膜質を改善することによって,TFTおよびTFPDの性能を向上させることに成功した.
- 2011-06-27
著者
-
堀田 昌宏
奈良先端大
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端大:crest
-
山崎 浩司
奈良先端科学技術大学院 大学情報科学研究科
-
堀田 昌宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学
-
町田 絵美
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
堀田 昌宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
石河 泰明
奈良先端科技大:CREST-JST
-
浦岡 行治
奈良先端大物質創成科学研究科
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