電子線起電流法による薄膜多結晶Si太陽電池の接合評価
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概要
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薄膜多結晶Si太陽電池の高効率化のために,p/n接合プロファイルを最適化することが重要である。本研究では,薄膜多結晶Si太陽電池に適用可能ないくつかの方法でp/n接合を形成し,その接合プロファイルを電子線起電流法により評価した。その結果,P拡散によりp/n接合を高温形成した場合,Pが結晶粒界に沿って優先的に拡散し,結晶粒界に沿って太陽電池深さ方向に伸びた接合が形成されている様子を確認した。さらにこの場合に,プラズマCVDによりp/n接合を低温形成した場合と比較して優れた分光感度特性を示すことが分かった。また,p/n接合プロファイルと太陽電池特性の関係について調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
山崎 努
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学
-
石河 泰明
奈良先端科技大:CREST-JST
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