ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
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概要
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ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価を行った。ダイナミックスストレスにより、経時的に移動度、ON電流は上昇し、OFF電流は減少することがわかった。移動度の増加は周波数やパルスの立ち上がり時間に依存し、周波数が高いほど、また立ち上がりが急峻なほど変化は大きかった。また、容量-電圧特性の測定では、ストレス印加後正側へのシフトが観測された。これらの結果から、p型TFTの移動度の変化は、パルスの立ち上がり時のホットキャリアによる電子トラップが原因ではないかと考えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-12
著者
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
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古田 守
松下電器産業株式会社液晶事業部
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川村 哲也
松下電器産業株式会社液晶事業部
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川村 哲也
松下電器産業(株)中央研究所
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川村 哲也
阪大基礎工
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長野 奈津代
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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梅野 智和
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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土橋 友次
松下電器産業株式会社液晶事業部
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
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浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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川村 哲也
大阪大学基礎工学部物性分野
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