Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ : PECVD法を用いたSiナノドットへの電子注入(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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本研究ではPECVDを使ってSiドットを形成し、MOSキャパシタの中に埋め込むことで、その量子効果を観測した。ゲート絶縁膜には熱酸化膜を、Siドットの上のコントロール酸化膜にも、PECVDを用いて連続製膜した。PECVD酸化膜はヒステリシス特性が現れなかったことから界面特性が良好であることが確認された。熱酸化膜層上にPECVDによって堆積したSiドットは直径が5〜11nm、ドット密度は約7.3×10^<11>/cm^<-2>であり、隣接するドットどうしは孤立し、単一Siドットの作製が可能であることがわかった。また、MOSキャパシタ構造における電気特性では電子の充放電がみられ、フローティングメモリに応用可能であることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
桐村 浩哉
日新電機株式会社技術開発研究所
-
彦野 太樹夫
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
猪飼 順子
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
加藤 健治
日新電機株式会社技術開発研究所
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