4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し,界面準位密度の変化を調べた.B,N,F,Al,P,Clを基板表面にイオン注入し,その基板を熱酸化することでSiO_2/SiC界面に種々の元素を導入した。B,F,Al,Clを注入したサンプルでは伝導帯付近の界面準位密度が増加したのに対し,N,Pを注入したサンプルでは,注入ドーズ量が5.0×10^<12>cm^<-2>以上のとき界面準位密度が大きく低減した。これまでに知られていたN以外にPでも界面準位密度を低減することができることが明らかとなった.Pの導入により界面準位密度が低減した理由は,P原子が導入されたことにより界面付近の歪が緩和されたためであると考えられる.
- 2009-11-27
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岡本 大
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学
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