酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
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概要
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リモートプラズマ酸化法を用いて、ナノメータオーダーの極薄 SiO_2膜を500℃以下の低温で形成した。その SiO_2膜の電気的特性を電流-電圧測定ならびに高周波容量-電圧測定により評価した。酸化前の保護酸化膜形成により低電界領域でのリーク電流が低減され、また酸化後の高速熱処理(RTA)により、界面特性が改善された。形成した酸化膜をMOSFETのゲート絶縁膜に応用し、良好な動作を確認した。その動作特性から、プロセスとSiO_2/Si界面特性の関係について考察を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-22
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
佐原 隆介
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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