短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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4H-SiC MOSFETの実用化を目指す上で重要な短チャネル効果について研究を行った.種々のチャネル長を持つ横型MOSFETを4H-SiC(0001),(000-1),(H-20)面上に作製し,その電気的特性を評価した.作製したMOSFETでは,チャネル長の短縮に伴い,パンチスルーを始めとする種々の短チャネル効果が確認された.また,デバイスシミュレーションを用いて短チャネルMOSFETの特性を解析した.作製したMOSFETにおける短チャネル効果の発現条件についても解析を行った.得られた発現条件は,デバイスシミュレーションから見積もった条件,及びSHこおける半経験則よりやや長いチャネル長で短チャネル効果が発現することを示していた.短チャネル効果の面方位依存性は,ほとんど観測されなかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-12-09

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