MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
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概要
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これまでに我々は、トリエチルガリウム(TEGa)とRF励起の窒素ラジカルを用いた有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)法によりサファイア基板上に優れた光学特性を持つ立方晶GaNを得た。立方晶基板上の成長でも良好な立方晶GaNの成長が期待される。そこで今回、3C-SiC基板上におけるMOMBE成長を行い成長条件の最適化を行った。立方晶GaNの成長で問題とされている六方晶混入割合についてはXRDを用いて詳細に評価した。最適なV/III比で成長した試料からは良好な発光スペクトルが観測され、モフォロジーは比較的平坦であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒部 立郎
京都大学大学院工学研究科
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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